赵亚峰1,2,刘苏杰1,陈云1,马会1,马广财3,郭翼,1

由于双相钢的生产规模大、成本低、易于加工，在保持高强度的同时保持了良好的塑性和韧性[1]，所以在汽车行业中被广泛使用[2]。双相钢通常具有类似复合材料的微观结构：在软的铁素体基体上分布着硬的第二相组织，如马氏体、亚稳奥氏体或贝氏体等。在变形过程中，软的铁素体基体容易发生变形使其具有好的塑性，硬的第二相又保证了强度的要求。材料韧性断裂的一个关键物理过程是孔洞的形核、生长和聚合，诸多研究者发现，在双相钢的铁素体-马氏体界面上观察到孔洞形核是通过相界面的分离或第二相在中高应变条件下断裂形成的[3,4]，而在低应变条件下，孔洞可以在夹杂物的界面上较早形核[4]。大量的双相钢断裂行为研究表明，在这些双相钢中，夹杂物引起的损伤是一种重要的破坏机制[5~9]，Al2O3和硫化物夹杂是重要的裂纹源[10]，不过夹杂物孔洞的尺寸和形状对Lode参数不敏感[11]，仅与应力三轴度相关[12]。此外，与夹杂物有关的孔洞形核具有尺寸效应：与小颗粒相比，孔洞形核更易在大颗粒夹杂物上出现[5,6]，减少大颗粒夹杂物的数量可以作为提高双相钢强度和塑性的一个设计准则。钢的总塑性应变对孔洞的数量有较大的影响[13]，研究孔洞在双相钢韧性断裂过程中的形核和长大行为，有助于更好地认识孔洞在裂纹的萌生和扩展中的作用，以评估材料在服役过程中的损伤演化，同时，也为设计新钢种和改进现有钢种提供新的思路。

通常，孔洞在夹杂物上形核通过空位聚集、颗粒与基体界面分离或颗粒断裂等机制实现。在高温和低应变速率下，以空位聚集成孔洞的形核机制较为常见，这种机制多与蠕变相关[14]。有研究[6,15]表明，当形成孔洞的界面能小于基体表面能的0.1%时，较易发生空位聚集诱导的孔洞形核现象。对于机械变形引起的孔洞形核，颗粒断裂和颗粒与基体界面的分离是2种相互竞争的机制。究竟哪种机制占主导地位，取决于颗粒与基体之间强度的差异[14]。一般来说，颗粒与基体强度差异较大时倾向于通过界面分离形成孔洞。此外，还有一些其他因素也会对这2种模式的竞争机制产生影响，例如颗粒的形状和应力的大小，这是由于球形颗粒和较大的内应力会促进界面分离，实现孔洞形核所致[5]。

从微观层面来看，常温下孔洞的生长被认为是由剪切位错环或柱面位错环滑移产生的[16]。Bulatov等[17]对剪切环机制进行了详细论证，结果表明，当一个完整的剪切环在孔洞表面形成时，孔洞将回复到原来的形状，就是说剪切位错环机制不能有效促进孔洞生长。另外，Gungor等[18]和Segurado等[19]通过分子动力学和位错动力学模拟，证明了一对反平行位错偶滑移也能够促进孔洞的生长。

孔洞的聚合是形成微裂纹的重要机制，它可以通过下述一种或多种机制的协同产生[20,21]：(1) 局部颈缩：孔洞长大到一定程度之后相邻孔洞之间的基体难以承受外加变形的载荷，因而产生局部化变形，最终导致相邻孔洞之间的基体局部断裂，孔洞在垂直于外部加载的方向上连接；(2) 局部剪切：与局部颈缩相似，这种模式也是由于局部塑性流变造成的，与(1)区别在于孔洞分布在与加载轴呈一定角度的方向上，特别是在45°最大剪切力下最易产生。此外，文献[5]中还使用过一些诸如“void sheeting”和“necklace coalescence”等词汇来描述孔洞沿剪切带和晶界的聚合现象，但是都认为，孔洞聚合基本上取决于孔洞本身的生长动力学和孔洞间距[22]。

对于机械变形引起的夹杂物界面孔洞形核，Tanaka等[23]从应变能的角度计算了孔洞形核的临界应变。假设形成无应变表面所需的能量高于新表面形成时颗粒弛豫的应变能，可将孔洞形核的临界应变(εc)表示为[23]：

式中，k=E*/E，E*和E分别是颗粒和基体的Young's模量；β是一个取决于k以及颗粒和基体Poisson比的系数；r是颗粒半径。

Ashby[16]基于位错应力场分析，提出了一种孔隙形核的应力模型。该模型认为夹杂物与基体弹性性质的差异是变形过程中形成柱面位错环的主要原因，并且柱面位错环在夹杂物与基体界面处的塞积会对界面施加一个拉应力，一旦这个拉应力超过界面的结合强度就会引起孔洞形核，且孔洞形核的临界拉应力(σc)与颗粒直径成正比，其形式为[16]：

式中，a是主滑移系的累积应变，d是颗粒直径，l是位错环的长度，b是Burgers矢量模。从式(3)中可以看出，颗粒-基体界面的临界拉应力随着颗粒尺寸增大而增加，随着颗粒间距的增大而减小。

为了预测含孔洞塑性材料的流变行为，Gurson[24]提出了一种屈服准则，后经Tvergaard和Needleman[25,26]修正，形成了著名的GTN塑性损伤模型。该模型将孔洞体积分数与基体材料的流变应力联系起来，并假设基体在整个变形过程中的塑性变形是均匀分布的。实际上，由于应变梯度塑性效应以及孔隙周围微织构的影响，颗粒与基体界面处的塑性变形与远离界面的基体塑性变形可能存在较大的差异[6]。

本工作使用X射线CT成像(X-ray computed tomography，XCT) 技术[27~29]，从宏观层面研究铁素体-贝氏体双相钢拉伸变形过程中夹杂物周围的孔洞生长行为，并结合Xe+等离子体聚焦离子束(PFIB)在特定的位置取样进行连续切片，开展三维电子背散射衍射(3D-EBSD)表征分析，在介观层面研究了孔洞周围组织结构对孔洞生长的影响。通过应变和位错密度分析揭示了孔洞生长动力学的影响因素。此外，基于早期理论模型估算了受变形梯度塑性影响导致孔洞生长缓慢的夹杂物临界尺寸，为高强钢的夹杂物控制提供参考。

1实验方法

本工作所用铁素体-贝氏体双相钢的主要化学成分(质量分数，%)为：C 0.035，Si 0.30，Mn 1.51，P < 0.002，S < 0.001，Nb 0.046，V 0.051，Fe余量，C当量为0.30。热处理过程详见参考文献[30]，热处理后钢中的贝氏体含量为10% (质量分数)。

铁素体-贝氏体双相钢通过线切割加工成棒状拉伸试样，长度为2.0 mm、直径为1.1 mm，中心制备半径为0.1 mm的圆形凹槽以提高应力三轴度。原位拉伸实验使用放置在Versa 520 XCT设备中最高载荷5 kN的Deben CT5000拉伸试验台进行拉伸测试，应变速率约为8 × 10-4s-1。拉伸应力达到抗拉强度(UTS)之后，在不同工程应变(ε= 0.038、0.047、0.049、0.05、0.053)状态下和断裂后进行CT扫描，以监测应力达到UTS后不同应变状态下的孔洞生长情况。每次CT扫描前将负载减少10%并静置15 min，以减少扫描过程中图像的漂移。XCT实验使用110 kV下10 W的X射线源，在360°旋转的过程中，采用多模态关联成像方法共收集到1201张投影照片。每个照片曝光时间为75 s，使用4倍的物镜采集，并进行2 × 2的像素合并，得到有效空间分辨率约为2.04 μm。使用Reconstructor软件中的filtered back projection算法对实验收集到的1201个投影进行三维体积重构，并使用Avizo软件(ThermoFisher Scientific)进行可视化处理。在断裂后的样品上选取感兴趣的孔洞，在其上方约50 μm的位置上沿轴向切割并抛光，运用Gemini SEM 460扫描电镜(SEM)获取截面像，并与相应位置处的XCT切片图进行比较，以确认抛光后孔洞的次表层位置。接着使用Helios Xe+PFIB[31]对体积为98 μm × 98 μm × 80 μm且包含预选孔洞的区域进行块体挖掘，使用30 kV、0.18 μA的束流进行连续切片EBSD成像[32]。EBSD实验参数为20 kV和22 nA，工作距离为10 mm，使用NordlysMax2系统和Aztec软件收集衍射花样，EBSD摄像头增益设定为0，曝光时间为10 ms，使用4 × 4像素合并，采样频率为100 Hz、采样步长为0.25 μm。在此参数设定下每个EBSD切片采样大约需要16 min。由于样品变形量较大，为提高EBSD衍射花样质量，采用高曝光时间和低采样频率。3D-EBSD体积重建使用Dream3D (dream3d.bluequartz.net)开源软件，为降低相邻切片的错配度，首先实现相邻切片中晶粒之间的最大重叠来进行相邻切片的对齐堆叠，接下来通过最小化每个切片中的像素点与其上下切片对应像素之间的取向差来进一步调整对齐。使用ParaView (paraview.org)开源软件对3D-EBSD进行可视化处理。

2实验结果

2.1孔洞的多尺度成像分析

图1a~e为不同应变时XCT数据的二维切片图，反映了达到UTS之后孔洞的形核、生长以及断裂过程。可以看出，在ε达到0.05后孔洞加速形核，在ε达到0.053时，多数孔洞发生聚合，导致立即断裂(图1f)。从样品中间的人字形裂缝(图1f中黄色虚线框)可以看出，裂纹源是由局部剪切引起孔洞聚合后，两侧区域发生剪切失效形成特有的杯锥状断口，并在加载方向大致45°位置处形成剪切唇(图1f中红色虚线框)。图1g和h为图1e中所指不同位置的横截面切片图。从图1g的横向切片图可以看出，大量的孔洞聚集在样品截面的左侧，这可能是由于左侧缺口稍深，变形不均匀，从而产生了更多的孔洞所致，图1h中的孔洞较少且分布很分散。图1i为双相钢单向拉伸的应力-应变曲线。图1a中所标定的2个孔洞从拉伸应力达到UTS后，裂纹开始形核，裂纹生长贯穿整个颈缩阶段，直到断裂，整个过程中没有与其他孔洞合并。这种方法适合孔洞生长的局部组织结构环境影响的研究。

图1

图1拉伸应力达到极限抗拉强度(UTS)后在不同工程应变(ε)水平下和断裂后的XCT二维切片图和单向拉伸应力-应变曲线

Fig.12D slice images of time-lap CT scans at different strain (ε) levels post ultimate tensile strength (UTS) (a-h) and stress-strain curve (i) (The rate of void nucleation increases rapidly between nominal strain of 0.05 and 0.053, which quickly coalesced and led to fracture)

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(a)ε= 0.038 (b)ε= 0.047 (c)ε= 0.049

(d)ε= 0.05 (e)ε= 0.053 (f) fracture

(g) slice at the fracture surface before fracture in Fig.1e (h) slice at the region of interest shown in Fig.1e

通过横截面直径(D)计算出2个孔洞位置的真实应变(εT)，εT= ln (${?}_{\mathrm{0}}^{\mathrm{2}}$/${?}^{\mathrm{2}}$)，从XCT三维视图中测量样品的初始直径(D0)和随应变变化的D。图2显示了2个孔洞等效直径随真实应变的变化情况。孔洞1在真实应变达到50%后明显生长加速，孔洞2的增长速率在真实应变达到40%后加快。断裂后由于孔洞周围应变约束解除，造成2个孔洞的真实应变有所回弹，尺寸也发生了变化。

图2

图2图1a中2个孔洞的等效直径与样品相应截面上真实应变的关系

Fig.2Equivalent diameters of two voids in Fig.1a as a function of true strain at the corresponding cross section of the sample (Each data point corresponds to a scan point marked in Fig.1i)

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使用XCT、PFIB和EBSD技术详细研究了2个孔洞附近的显微组织，实验过程如图3所示。如图3a所示，通过XCT确定孔洞的空间坐标，在此基础上，对样品进行切割和抛光，使孔洞位于抛光表面下约50 μm处，以方便后续实验。使用PFIB对包含孔洞的区域整体挖掘(图3b)并进行连续切片EBSD扫描(图3c)。通过3D-EBSD扫描结果二维切片和三维统计的晶粒尺寸分布比较(图3d)可以看出，三维分析的晶粒尺寸更接近正态分布，三维真实晶粒尺寸比二维截面晶粒尺寸平均高出3倍。这是由于在二维截面上计算的晶粒尺寸只能反映晶粒尺寸分布的下限，而一个界面横跨截面上所有晶粒大圆的概率是极低的。图4a显示了图1a中标注的2个孔洞和周围晶粒的形态。可以看出，孔洞1位于晶界位置，而孔洞2完全被包裹在一个晶粒内，根据图4b所示孔洞生长的位错机制可以看出，孔洞2左右两侧的晶界限制了位错滑移，导致与孔洞1相比，孔洞2在水平方向的尺寸较小，故整体形貌较为狭长。

图3

图3研究孔洞生长的多模态关联表征方法

Fig.3Multimodal correlative approach to study void growth

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(a) XCT morphology of the fractured sample, voids coloured in red

(b) bulk cut out by PFIB at the corresponding location indicated by circle in Fig.3a

(c) serial sectioning 3D-EBSD reconstruction (~98 μm × 98 μm × 80 μm) of the cutted bulk shown in Fig.3b

(d) comparisons between 2D and 3D grain size distributions

图4

图4图1a所示的2个孔洞及其周围晶粒的XCT三维视图，以及孔洞生长的位错环机制示意图

Fig.4High resolution XCT morphology of the two voids shown in Fig.1a together with the grains surrounding the two voids (a), illustration demonstrating void expansion caused by glide of dislocation loops (b—Burgers vector module) (b)

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2.2孔洞形核点的微观结构

所研究的铁素体-贝氏体双相钢的显微组织包括较软的铁素体基体和较硬的贝氏体相。贝氏体中C含量较高，故其内包含的位错密度更高。图5显示了低应变和高应变区域显微组织的EBSD像。贝氏体相由于较低的衍射花样质量，在带对比图上较暗(图5a~c)。这也可以通过EBSD标定的晶粒取向着色图(图5d~f)中的“碎晶”区识别。从变形后的EBSD像可以看出，晶粒沿水平拉伸方向伸长，虽然变形后贝氏体相仍然可以从铁素体中分辨出来，但是高塑性变形形成的剪切带和位错胞的存在使两相的界面难以严格确定。可以看出，2个大的孔洞是在夹杂物(Al2O3或MnS)周围形成的，与贝氏体和贝氏体-铁素体相界无直接关联。

图5

图5低应变区和包含孔洞1和孔洞2的中间截面高应变区域的EBSD带对比图和Euler角着色像

Fig.5EBSD band contrast maps (a-c) and EBSD maps colored with Euler angles (d-f) in low strained region showing the un-deformed images (a, d) and high strained regions featuring the mid cross section of void 1 (b, e) and void 2 (c, f)

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从3D-EBSD像(图3c)可以发现大量低于XCT分辨率的小孔洞。可将这些孔洞大致分为3组：与贝氏体相关的孔洞(位于相界或内部，包括在贝氏体相内的夹杂物周围出现的形核孔洞)、铁素体中非夹杂物孔洞以及铁素体内夹杂物周围的孔洞，统计结果显示在图6中。可以看出，铁素体中由夹杂物形核的孔洞尺寸大于在贝氏体中形核的孔洞尺寸。需要说明的是，大多数与贝氏体相关的孔洞周围没有观察到夹杂物，有可能是夹杂物太小而无法分辨或是夹杂物在PFIB切片过程中脱落。将铁素体中夹杂物尺寸和与之对应的孔洞尺寸进行对比，显示2者呈正相关关系，如图7所示。但是对孔洞位置的真实应变进行分析发现，真实应变与孔洞尺寸的相关性较弱，如图7中所示的尺寸在1.5~2 µm之间的夹杂物产生的孔洞相互之间真实应变差异巨大，但是孔洞尺寸却十分接近，这表明孔洞的尺寸不仅由夹杂物尺寸决定，还与孔洞本身的生长机制有关。

图6

图6PFIB-SEM样本(体积约98 μm × 98 μm × 80 μm)中孔洞的尺寸和类型，以及每种类型孔洞形貌的SEM像

Fig.6Sizes and types of void in the PFIB-SEM sampled volume (~98 µm × 98 µm × 80 µm) (a) and SEM images of voids type 1 (b), type 2 (c), and type 3 (d)

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图7

图7孔洞尺寸与夹杂物尺寸的关系

Fig.7Void size as a function of inclusion size

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2.3孔洞的生长机制

2.3.1 孔洞附近的塑性变形

由于位错环或反平行位错偶的形核和滑移是塑性诱发孔洞增长的重要机制，因此有必要研究铁素体晶粒周围的变形能力与孔洞尺寸差异的关系。bcc晶体具有多个密排面，主要滑移系有3种：{1$\overline{\mathrm{1}}$0}<111>、{1$\overline{\mathrm{2}}$1}<111>和{2$\overline{\mathrm{3}}$1}<111>。其中{2$\overline{\mathrm{3}}$1}<111>滑移系层错能最高，是最难激活的滑移系[33,34]，而{1$\overline{\mathrm{1}}$0}<111>滑移系最容易被激活。比较铁素体中夹杂物诱发的孔洞周围晶粒的{1$\overline{\mathrm{1}}$0}和{1$\overline{\mathrm{2}}$1}滑移系的Schmid因子发现，围绕孔洞的周围晶粒中都存在Schmid因子为最大值(0.5)的滑移系变体，而且这些晶粒中Schmid因子高于0.4的概率是相似的，因此仅从微织构角度来看，这些晶粒不会影响孔洞周围的位错滑移速率。

另外，由于夹杂物与基体弹性性质差异较大，夹杂物与基体界面局部塑性流动不均匀，存在应变梯度，因而需要产生几何必需位错(GND)来保持基体的连续性。为了研究孔洞周围位错密度与孔洞尺寸的关系，利用EBSD实验测得的晶格转动梯度求解了Nye位错张量[35,36]，计算方法在参考文献[37~40]中有详细介绍。孔洞与基体界面位置附近的GND密度取包含孔洞的所有EBSD切片的平均值，计算结果如图8所示。从整体分布上可以看出，较小的孔洞周围显示出较高的GND密度，由此推测小孔洞周围的高位错密度造成了更强的硬化作用，进而抑制了孔洞的生长。这可以用来解释图7中观察到的小孔洞生长率与宏观应变的弱相关关系。

图8

图8孔洞周围的平均几何必需位错(GND)密度与夹杂物尺寸的关系

Fig.8Average geometrically necessary dislocation (GND) density in the vicinity of voids as a function of associated inclusion size

2.3.2 孔洞的各向异性生长

由图5可以看出，2个大的孔洞倾向于沿拉伸方向朝着夹杂物的一侧生长，在微观上孔洞的形状呈各向异性。为了研究相邻显微组织对孔洞形貌的影响，计算了孔洞两端的GND密度和Schmid因子，结果如图9a1、a2和b1、b2所示。依据Hall-Petch关系，晶粒尺寸会通过位错塞积产生的应力影响晶粒的变形能力，因此本工作引入了“加权Schmid因子($?{?}_{?}^{\mathrm{*}}$)”，从而把晶粒尺寸效应纳入Schmid因子分析中：

式中，SFi是第i个像素的Schmid因子，Di是第i个像素所在晶粒的等效直径。在此计算中，晶粒中每个像素的Schmid因子由相应晶粒的尺寸加权，因此较小晶粒中的Schmid因子被加权降低，而较大晶粒中的Schmid因子被加权提高。图9a3~a6分别给出了孔洞的EBSD带对比图、Schmid因子分布图、加权Schmid因子分布图和GND密度分布图。图9a1为对图9a3中孔洞两侧黄色虚线框区域统计平均GND密度，图9a2为这2个区域的平均Schmid因子和平均加权Schmid因子。GND密度分布图表明孔洞一侧优先生长，其累积滑移量比另一侧大，Schmid因子分布图也表明孔洞优先生长一侧的晶粒具有更高的变形能力。加权Schmid因子分布图揭示了一些传统Schmid因子图无法显示的有趣的特征，例如图9a5中显示的大孔洞右侧的生长更倾向于向右下方的晶粒内延伸(晶粒4)，这个晶粒拥有更高的加权Schmid因子，相比之下，孔洞右上方的晶粒尺寸很小，所以即便其具有更高的Schmid因子，但由于小晶粒尺寸Schmid因子被加权降低，所以晶粒不易塑性流动。

图9

图9孔洞1和孔洞2的GND密度和Schmid因子，孔洞的EBSD带对比图、Schmid因子分布图、加权Schmid因子分布图和GND密度分布图

Fig.9GND densities (ρGND) (a1, b1) and Schmid factors (a2, b2) of the left and right parts around the voids in Figs.9a3 and b3; and EBSD band contrast maps (a3, b3), Schmid factor distributions (a4, b4), weighted Schmid factor distributions (a5, b5), and GND density distributions (a6, b6) of void 1 (a1-a6) and void 2 (b1-b6)

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3分析讨论

3.1孔洞的形核和生长

本工作所研究的铁素体-贝氏体双相钢样本中所有夹杂物颗粒都呈球状且没有发现夹杂物断裂现象。样品中大尺寸夹杂物主要是Al2O3夹杂，同时在其边缘伴生有MnS形成复合夹杂物。其断裂强度比铁素体基体高3倍多，因此在这种材料中铁素体/夹杂物的界面分离是变形过程孔洞形核的主要机制[8]。

从图7可以看出，孔洞的尺寸与其相邻的夹杂物尺寸密切相关，文献[29]中也报道过类似的现象。从式(1~3)也可以看出，大尺寸夹杂物比小尺寸夹杂物更容易诱发孔洞形核与长大。这一孔洞形核理论可以从初始夹杂物尺寸的角度解释样品中有些孔洞很大而有些孔洞很小的原因。在本工作中位于铁素体中的一些较小夹杂物萌生的孔洞处于样品的大应变位置，但是其尺寸相较于与其尺寸相近但处于小应变位置的孔洞没有表现出明显差异(如图7所示)。夹杂物颗粒尺寸的另一个重要的作用是它们直接影响颗粒-基体界面周围的位错累积速率[41]：

式中，ρ为位错密度，εp为塑性应变。可以看出，颗粒尺寸越小，其周围位错密度随应变变化的速率越快，这与图8结果以及文献[42]的模拟结果一致。这些结果表明颗粒与基体界面的局部硬化率随颗粒尺寸变化而变化，与大颗粒相比，小颗粒周围的局部硬化会明显高于基体。但是颗粒周围的硬化速率并不是随着颗粒尺寸的变化一直变化，当颗粒尺寸超过一定限度之后，界面与基体的应变将不再产生明显差异，颗粒尺寸约束孔洞生长的效应也就不再明显了。Goods和Brown[6]在Brown和Stobbs[41]理论的基础上提出了临界颗粒半径(rc)的估算方法[6]：

式中，α是由材料本身决定的常数[43]，µ是基体的剪切模量，σy是屈服应力，σ为工程应变为ε时所受的应力。如果颗粒尺寸小于rc，局部应变硬化率将会明显超过基体并通过局部位错的快速塞积制约孔洞生长，此时基于连续体力学的孔洞生长模型不再适用。对于较小尺寸的颗粒，如果局部硬化率高于基体，包裹随后形核孔洞的林位错可能会阻碍位错的进一步滑移。在此条件下，外部载荷引起的局部塑性流动可以通过其他起始变形机制来实现，比如临近孔洞的加速膨胀或者硬化孔洞附近多滑移系的开动，这与文献[44]中报道的孪晶尖端由于局部位错硬化导致的孪晶不连续生长现象十分类似。

综上所述，夹杂物的尺寸不仅影响孔洞形核的难易程度，也能够通过局部位错塞积影响孔洞的尺寸。这2种机制协同作用造成大夹杂物引起的孔洞较大、小夹杂物引起的孔洞较小的实验现象。决定孔洞快速生长和慢速生长的夹杂物临界尺寸可以利用Goods和Brown[6]提出的模型进行估算：将α= 0.3、b= 0.248 nm (α-Fe)代入式(6)，针对文献[45~48]中不同材料体系的性质利用式(6)进行了计算，结果归纳于表1中。由于本工作中缺少尺寸在2~4 µm之间的夹杂物样本，故无法验证估算值的准确性，因此整理了文献[48~56]中利用其他方法对不同钢材中的夹杂物临界尺寸的结果，归纳于表2[48~56]。

表1不同钢种依据式(6)的夹杂物临界尺寸估算

Table 1Critical particle sizes across various types of steels estimated according to Equation (6)

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由表1可大致确定铁素体中夹杂物周围孔洞形核的临界尺寸在1.85~2.86 µm之间，与本工作估算值吻合较好；且从表1可以看出，受贝氏体和马氏体较高的弹性模量和加工硬化率影响，其内弹性应力在加载过程中累积速率高于基体，因此其内部夹杂物的临界尺寸相对较低，贝氏体临界尺寸约为0.51 µm，马氏体临界尺寸在0.18~0.52 µm之间。本工作临界尺寸与表2[48~56]中个别文献报道吻合，但大部分文献报道的临界尺寸整体较高，这可能与具体分析方法的空间分辨率有关。除此之外，由于靠近孔洞位置的EBSD解析率降低且材料整体变形严重，图8中呈现的位错分析标准误差较大，因此夹杂物尺寸与局部位错密度的关系模型难以建立。需要使用变形程度较低的材料以及一些先进的衍射花样标定方法来进行改进，如具有更好鲁棒性和更高分辨率的字典算法[57,58]。

3.2孔洞的择优生长及晶粒尺寸的影响

在大孔洞的延伸过程中可能存在如图9所示的择优生长现象，即孔洞并非以夹杂物为中心向外均匀扩展，这种生长模式在文献[59,60]中也有报道。仔细研究孔洞周围显微组织可以发现，孔洞的择优生长不是随机的，而是由周围晶粒的微织构控制的，正如图9a4、a6和图9b4、b6所示孔洞择优生长一侧的Schmid因子和GND密度都要高出另外一侧。图9a6所示孔洞中右侧晶粒1~3都表现出较高的Schmid因子，但由于它们的晶粒尺寸较小，因此不利于孔洞生长。晶粒4具有更大的尺寸和同样高的Schmid因子，因此孔洞更倾向于向晶粒4一侧生长。从图9a5中同样可以看出，大孔洞与右边的小孔洞进行连接合并十分困难，这是因为连接孔洞的晶粒1、2和3由于较低的加权Schmid因子无法提供足够的塑性流动来激发合并机制(局部缩颈或局部剪切[5])。由此可以认为，在本工作铁素体-贝氏体双相钢内只包含小颗粒的情况下，由于孔洞本身生长会受到制约，通过孔洞生长导致塑性断裂的可能性较低，这种情况下塑性断裂主要取决于孔洞的间距和分离孔洞的基体的变形能力。对于孔洞间织构上较软的基体(高SFi*)，塑性流变可以较快缩减孔隙间距，导致孔洞在相对较低的应变下发生连接合并，形成微裂缝并最终导致断裂。

4结论

(1) 使用多模态关联的表征分析方法研究了铁素体-贝氏体双相钢韧性断裂过程中孔洞的生长行为及孔洞周围局部微观结构对孔洞生长的影响。受限于XCT实验的空间分辨率，实验过程只观察到了铁素体中2 µm以上夹杂物导致孔洞形核的现象，但是通过关联性3D-EBSD表征，发现贝氏体中尺寸小于2 µm的夹杂物也引发了孔洞形核。与贝氏体相比，铁素体相中的夹杂物会导致更大的孔洞，这主要与铁素体相的变形抗性较弱或者铁素体中夹杂物诱发孔洞形核所需的应变整体较低有关。

(2) 孔洞的生长受夹杂物尺寸效应影响显著，较小的夹杂物会引起局部高位错密度包壳阻碍位错滑移，从而限制孔洞的生长。通过解析理论模型，根据所研究材料的性质，计算出在铁素体相中夹杂物形核的临界尺寸在1.85~2.86 µm之间，低于这个临界尺寸的夹杂物，孔洞周围由于受到强变形梯度塑性的影响生长缓慢，高于这个临界尺寸的夹杂物则可导致孔洞的快速生长从而显著降低塑性与断裂韧性。

(3) 单向拉伸变形过程中，孔洞主要沿着加载方向生长，但孔洞周围晶粒的微观织构会改变其生长方向，表现出各向异性。孔洞的复杂形状可以用Schmid因子和晶粒尺寸相结合的加权Schmid因子进行预测。孔洞连接合并的难易程度会受到分隔孔洞之间基体材料的晶粒尺寸和织构的影响。

(4) 3D-EBSD晶粒尺寸表征结果显示，真实三维晶粒尺寸计算结果是二维表面计算结果的3倍左右，因此需谨慎对待二维表面晶粒度的测量结果。