1.
2.
结合电子衍射、TEM明/暗场像和HRTEM像从[100]2:17R和[101]2:17R2个晶带轴研究了具有纳米胞状组织的Sm25Co50.2Fe16.2Cu5.6Zr3.0(质量分数,%)钉扎型磁体胞边缘的微结构。结果表明,胞状组织边缘存在菱方结构的2:17R'相,与ABCA3层堆垛周期的2:17R相相比有一层{001}基面原子错排,造成畴壁能密度高于胞内的2:17R相,从而产生不利于方形度的排斥型畴壁钉扎。进一步的对比研究表明,2:17R'相的超晶格衍射斑点可覆盖实验观察到的所有卫星斑,排除了之前文献中根据部分卫星斑所认为的2:17H相或Smn+ 1Co5n- 1相。因此,本工作为理解Sm2(Co,M)17磁体方形度低的微结构根源提供了新证据。
关键词:
2:17型Sm(Co,M)z磁体属于析出硬化型永磁材料,五元合金经烧结、固溶、时效等工艺处理后在微米尺度(数十微米)晶粒内形成纳米胞状显微组织(尺寸100~200 nm):富Co/Fe的Th2Zn17型菱方相(2:17R)占据胞内,与之完全共格的富Cu的CaCu5型六方析出相(1:5H)占据{011}2:17R锥面胞壁,富Zr的NbBe3型片层析出相(1:3R)贯穿胞状组织并与{001}基面平行。通过长期研究,普遍认为2:17型Sm(Co,M)z磁体的矫顽力源于富Cu的胞壁1:5H相对磁畴壁的钉扎作用[8~12],且内禀矫顽力Hcj正比于胞内和胞壁之间的畴壁能密度(γ)梯度[13,14]。由于制备过程中Sm元素的挥发和氧化以及合金元素的偏析,即使在固溶处理态也会不可避免地形成少量的Sm2O3、Fe-Co及富Zr的Zr6(Co, Fe)23和Smn+ 1Co5n- 1(n= 2,1:3R;n= 3,2:7R,Gd2Co7型菱方相;n= 4,5:19R,Ce5Co19型菱方相)等非磁性或软磁性相[15~18]。在后续的时效过程中,晶界附近以及这些初生相周围所析出的胞壁1:5H相少于其他区域,优先退磁,不利于获得高的方形度[19,20]。更重要的是,在占据绝大部分体积分数、具有完整纳米胞状组织的晶内区域,胞边缘以及1:3R片层相与1:5H相的交界处对磁畴壁的钉扎作用弱于胞壁1:5H相[7,18,21],是磁体方形度低的主要原因。Xiong等[13]认为胞壁1:5H相的γ高于2:17R胞状相,但胞边缘的γ低于胞内2:17R相,因而钉扎作用弱于前者。所以,揭示胞边缘与胞内2:17R相的微结构差异,成为认识该类磁体方形度低的关键。
然而,目前对胞边缘微结构的认识尚存争议。大量的透射电镜(transmission electron microscopy,TEM)研究[22~32]表明,具有完整纳米胞状组织区域的电子衍射花样中包含不属于2:17R、1:5H和1:3R相的卫星斑点。以[100]2:17R晶带轴为例,沿[001]*和[010]*(*表示倒易空间)方向均出现1/3和2/3卫星斑点。早期的研究[23~27]认为它是1:5H相、2:17H相(Th2Ni17型六方相)、2:17R + 2:17H混合相或2:17R + 2:7R混合相。近期,也有研究[28]认为它是无序的2:17R相。前期工作[31]通过对比不同时效阶段的电子衍射花样、高分辨透射电镜(High-resolution TEM,HRTEM)像和相应的快速Fourier变换(fast Fourier transformation,FFT)图,认为它是由2:17H相向2:17R相转变的菱方2:17R'中间相,即2:17H相基面滑移不完全、尚有一层含Sm原子基面错排的2:17R相。为了澄清上述争议,本工作进一步采用TEM从[100]2:17R和[101]2:17R2个晶带轴进行表征,结合电子衍射、TEM明/暗场像、HRTEM像及FFT图对胞边缘的微结构展开综合分析,并与模拟的电子衍射花样和原子结构进行对比,确认其为2:17R'相。
实验用Sm25Co42.9Fe23.5Cu5.6Zr3.0(质量分数,%)和Sm25Co50.2Fe16.2Cu5.6Zr3.0(质量分数,%)磁体采用粉末冶金工艺制备,分别命名为Fe-23.5和Fe-16.2。将感应熔炼所得合金破碎成粉末,进一步球磨后获得平均尺寸为4~6 μm的磁粉。磁粉在> 796 kA/m磁场和约150 MPa压应力下取向成型,再经约200 MPa冷等静压制成坯体。坯体在高温真空炉中Ar气保护环境下约1200℃烧结3 h,然后在约1170℃固溶3和4 h,并快冷至室温。随后,分别将Fe-23.5和Fe-16.2试样在870和830℃时效10 h以上,以0.7℃/min慢冷至400℃,并在该温度二次时效1 h,随炉冷却至室温,得到终态磁体。
经前期的PPMS-9T磁强计测试,Fe-16.2样品的室温Hcj和(BH)max分别为2817 kA/m和236 kJ/m3,退磁曲线的方形度为79.1%[32]。Fe-23.5样品的室温Hcj和(BH)max分别为449 kA/m和123 kJ/m3,退磁曲线的方形度为35.8%[30]。采用研磨、抛光和离子减薄方法制备TEM样品。采用JEM-2100F型TEM进行微结构表征。选择晶内远离初生相、且具有纳米胞状组织的典型区域进行表征,分别倾转到[100]2:17R和[101]2:17R晶带轴,拍摄电子衍射花样、TEM明/暗场像和HRTEM像。所用电子束电压为200 kV。采用Digitalmicrograph软件对HRTEM像进行选区FFT和反Fourier变换(inverse fast Fourier transformation,IFFT)处理。
图1为Fe-16.2磁体典型胞状组织区域的TEM明、暗场像及选区电子衍射(SAED)花样。图1a为沿[100]2:17R晶带轴拍摄的TEM明场像,即c轴在面内,胞壁1:5H相沿{011}锥面分布,同时可观察到与{001}基面平行的1:3R片层相贯穿胞状组织。图1d为沿[101]2:17R晶带轴拍摄的TEM明场像,即c轴在面外,不能观察到1:3R片层相。1:5H相仅能产生基础斑点,2:17R相以纳米孪晶形式存在,在图1c和f中进行了标定。在[100]2:17RSAED花样(图1c)中,2:17R孪晶在{012}*、{021}*、{011}*和{022}*位置产生超晶格衍射斑点;在[101]2:17RSAED花样(图1f)中,超晶格衍射斑点出现在{
图1沿Sm25Co50.2Fe16.2Cu5.6Zr3.0磁体[100]2:17R和[101]2:17R晶带轴的TEM明、暗场像及选区电子衍射(SAED)花样
Fig.1TEM bright field images (a, d), dark field images (b, e), selected area electron diffraction (SAED) patterns (c, f) for the Sm25Co50.2Fe16.2Cu5.6Zr3.0magnet taken along [100]2:17R(a-c) and [101]2:17R(d-f) zone axes (The dark field images were taken using the (010)2:17R'or (020)2:17R'superlattice reflections circled by white in Figs.1c and f)
进一步沿这2个晶带轴拍摄了HRTEM像并结合FFT表征胞边缘的相结构。图2a为沿[100]2:17R晶带轴拍摄的胞边缘HRTEM像,可看到胞边缘存在{001}<120>型层错。图2b为该区域的FFT图,它包含在图1c中观察到的所有额外超晶格衍射斑点以及2:17R孪晶的4个超晶格衍射斑点。图2c为2:17R'与2:17R相界面附近的IFFT图,两相界面(白色虚线)平行于{001}基面,晶格中的Sm原子用白色圆圈圈出。2:17R相包含Sm原子的基面以ABCA3层堆垛周期排列;与之不同的是,2:17R'相则有一层包含Sm原子的基面错排,其堆垛周期为AXBA。因此,2:17R'相可以理解为具有层错的2:17R相。图2d为沿[101]2:17R晶带轴拍摄的胞内HRTEM像,在图2e的FFT图中可以看到{
图2Sm25Co50.2Fe16.2Cu5.6Zr3.0磁体微结构的HRTEM表征
Fig.2HRTEM characterizations of Sm25Co50.2Fe16.2Cu5.6Zr3.0magnet along [100]2:17R(a-c) and [101]2:17R(d-i) zone axes (Sm positions are indicated by white circles)(a-c) HRTEM image, fast Fourier transform (FFT) pattern, and inverse fast Fourier transform (IFFT) image of the cell edge, respectively (d-f) HRTEM image, FFT pattern, and IFFT image of the 2:17R cell interior, respectively (g-i) HRTEM image, FFT pattern, and IFFT image of the 2:17R' cell edge, respectively
在之前的研究中,有研究[23]认为[100]2:17R花样中的卫星斑源于1:5H相的[10
图32:17H、1:5H、1:3R、2:7R和5:19R相沿平行于[100]2:17R和[101]2:17R晶带轴的模拟电子衍射花样
Fig.3Simulated electron diffraction patterns for 2:17H (a1, b1), 1:5H (a2, b2), 1:3R (a3, b3), 2:7R (a4, b4), and 5:19R (a5, b5) phases along their specific zone axes parallel to [100]2:17R(a1-a5) and [101]2:17R(b1-b5)
为了进一步对比2:17R'相与Smn+ 1Co5n- 1相的差别,从[100]2:17R//[210](n+ 1):(5n- 1)晶带轴进行了HRTEM像分析。需要指出的是,1:3R (n= 2)片层相在胞内普遍存在,而2:7R (n= 3)相容易在富Fe磁体的晶界处出现[18,30]。图4a和d分别为Fe-23.5磁体晶内和晶界附近的TEM明场像。前者内的1:3R片层相厚度在3~10 nm之间,后者内的2:7R相厚度超过200 nm[30]。图4b和c分别为1:3R相的FFT和IFFT图。可以看到,{003}1:3R超晶格衍射斑点位于[001]
图4Sm25Co42.9Fe23.5Cu5.6Zr3.0磁体中1:3R和2:7R相的TEM表征
Fig.4TEM bright field images of Sm25Co42.9Fe23.5Cu5.6Zr3.0magnet along [100]2:17Rat grain interior (a) and grain boundary (GB) (d) regions, FFT pattern (b) and IFFT image (c) of the grain interior 1:3R platelet, and FFT pattern (e) and IFFT image (f) of the grain boundary 2:7R
上述TEM结果表明,只有胞边缘的2:17R'相能产生在[100]2:17R和[101]2:17R晶带轴衍射花样中观察到的全部超晶格衍射斑点。
为了理解2:17R'相的形成机制,近期提出了一个基面滑移模型[31]。该模型基于Rabenberg等[33]提出的高温2:17H亚稳相经位移型相变转变为2:17R平衡相的观点而提出。他们认为,2:17H相可通过a/3<
图52:17R和2:17R'相的单胞、原子投影图和模拟的电子衍射花样
Fig.5Unit cells (a1, a2), projections (b1, d1, b2, d2), and simulated electron diffraction patterns (c1, e1, c2, e2) along [100]2:17Rand [101]2:17Rzone axes of 2:17R (a1-e1) and 2:17R' (a2-e2)
位错和层错等缺陷均会引起自由能升高,从而位于胞边缘的2:17R'相(具有层错的2:17R相)会改变胞内和胞壁之间的畴壁能密度梯度。近期的HRTEM和Lorentz-TEM表征[30,32]表明,2:17R'相也会分布在部分胞壁上,其畴壁能密度高于2:17R相,形成排斥型畴壁钉扎;由于Cu在胞壁1:5H相中的富集[22],会使1:5H相畴壁能密度低于2:17R相,形成吸引型畴壁钉扎。根据文献[34,35],吸引型钉扎的畴壁难以被低磁场驱动,更有利于提高方形度和矫顽力;而排斥型钉扎的畴壁更容易被低磁场驱动,不利于方形度。胞边缘2:17R'相的畴壁能密度高于2:17R相,起到与富Cu的胞壁1:5H相相反的钉扎作用,因而造成了非均匀反磁化过程。此外,近期的球差矫正电镜工作[30]还表明,1:5H相和2:17R相的界面处存在多余的间隙原子,它们作为点缺陷降低了2:17R相的有序度,也会引起界面处的畴壁能密度高于胞内的2:17R相,即产生不利于方形度的排斥型畴壁钉扎作用。综合这2方面的实验结果,图6中给出了修正的畴壁能密度分布,即富Cu的胞壁1:5H相畴壁能密度低于胞内的2:17R相,而胞边缘包含层错的2:17R'相或富集点缺陷的弱有序2:17R相的畴壁能密度高于2:17R相,与早期文献[13]给出的趋势相反。上述发现对理解Sm2(Co, M)17磁体方形度低的微结构根源提供了新证据,也将对进一步提高磁体的磁性能提供重要参考。
图6修正的畴壁能密度分布示意图
Fig.6Updated schematic domain wall energy density profile across 1:5H cell boundary (CB), 2:17R' cell edge, and 2:17R cell interior (“Attractive” refers to the attractive domain-wall-pinning, “repulsive” refers to the repulsive domain-wall-pinning)
通过胞边缘微结构的透射电子显微镜表征,确认选区电子衍射花样中的额外超晶格衍射斑源于2:17R'相,而非早期文献中认为的1:5H、2:17H或Smn+ 1Co5n- 1相。2:17R'相是2:17H相未完全转变为2:17R相的中间相,与2:17R平衡相相比有一层基面原子错排。位于胞边缘的2:17R'相局部自由能高于胞内的2:17R相,引起不利于方形度的排斥型磁畴壁钉扎,据此修正了畴壁能密度分布图。
1实验方法
2实验结果与分析
图1
图2
图3
图4
图5
图6
3结论
来源--金属学报